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NTIS 바로가기주관연구기관 | 충북대학교 Chungbuk National University |
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연구책임자 | 정재욱 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2017-05 |
과제시작연도 | 2016 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO201800002760 |
과제고유번호 | 1711036377 |
사업명 | 개인연구지원 |
DB 구축일자 | 2018-04-14 |
키워드 | 그래핀.산화물반도체.박막트랜지스터.소스/드레인 전극.비대칭 구조.전압 스트레스 안정성.전류 스트레스 안정성.graphene.oxide semiconductor.thin-film transistor.source/drain electrode.asymmetric structure.bias stress instability.current stress instability. |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201800002760 |
연구의 목적 및 내용(계획서 내용)
◦ 그래핀 소스/드레인 전극 특성을 분석하기 위한 그래핀/a-IZO probe type의 비대칭형 산화물 박막 트랜지스터의 제작.
◦ 그래핀/산화물 박막트랜지스터의 전기적 접촉 특성 및 기생저항 특성을 probe type의 비대칭형 산화물 박막 트랜지스터를 이용하여 분석.
◦ 그래핀과 산화물 박막트랜지스터의 Schotkky barrier 특성을 제어하기 위하여 소스/드레인 영역의 oxygen vacancy의 유도 및 H2 도핑을
통한 저 접촉 저항 그래핀 소스/
Purpose& contents
◦ Fabrication and analysis of a-InGaZnO thin-film transistors (a-IGZO TFTs) using asymmetric graphene/a-IZO electrodes structure (probe type).
◦ Fabrication of a-IGZO TFT with graphene source/drain electrodes on plasma treated contact regions.
◦ Analysis of bias and curren
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