초록 ▼

○ 국제공동연구소 IPNM 설립
○ 첨단 연구 시설 공동 활용 및 연구인력 공동 교류 및 유치
○ 플라즈마 소스 개발과 플라즈마 진단
- 고속 증착률을 가지는 고밀도 대면적 플라즈마 소스 개발
- 플라즈마 라디칼 모니터링 시스템 국내 반입 및 이를 활용한 박막 합성 메카니즘 분석
○ 플라즈마 제어를 통한 저온공정 고속 증착률과 고결정도를 가진 미세 결정질 Si 박막 개발
○ 플라즈마 제어를 통한 SiNx matrix 내부 Si quantum dot 형성을 통한 에너지 박막 개발
○ 바이오 박

○ 국제공동연구소 IPNM 설립
○ 첨단 연구 시설 공동 활용 및 연구인력 공동 교류 및 유치
○ 플라즈마 소스 개발과 플라즈마 진단
- 고속 증착률을 가지는 고밀도 대면적 플라즈마 소스 개발
- 플라즈마 라디칼 모니터링 시스템 국내 반입 및 이를 활용한 박막 합성 메카니즘 분석
○ 플라즈마 제어를 통한 저온공정 고속 증착률과 고결정도를 가진 미세 결정질 Si 박막 개발
○ 플라즈마 제어를 통한 SiNx matrix 내부 Si quantum dot 형성을 통한 에너지 박막 개발
○ 바이오 박막
- 항 박테리아 박막, 부식 방지 및 보호막 개발 : Cu doped C/TiO₂ 박막 응용
- 세포 배양 및 생체 기능성 박막, 바이오 센서 전극 재료 : 카본 박막 응용
○ 플렉시블 전자용 기능성 소재 개발과 공정개발
- 플라즈마 소스 개발과 라디칼 제어로 저온공정을 통한 유연성을 가지는 가스 보호박막 개발
○ 고품위 투명전도박막 저온공정 확보
- TCO 박막용 플라즈마 소스 설계 및 저온 공정 개발
(출처 : 보고서 요약서 3p)

Abstract ▼

3. R&D results
A. Part 1 - Plasma basic technology development
○ Development of Ultra high density large area plasma source
- 370 x 470mm², 650 x 350 mm², 650 x 450 mm² size PECVD source development
- Advisory and conceptual design by Prof. Hori (PLANT d

3. R&D results
A. Part 1 - Plasma basic technology development
○ Development of Ultra high density large area plasma source
- 370 x 470mm², 650 x 350 mm², 650 x 450 mm² size PECVD source development
- Advisory and conceptual design by Prof. Hori (PLANT dir.), Prof. Setsuhara (Osaka Univ.)
- Design and development of Large area multi hollow cathode discharge source
- RFHIC, PLANT joint computer simulation and plasma source development
○ Development of plasma diagnosis and control system in the process (radical density, spatial distribution, etc.)
1) Radical monitoring system (equivalent to 200 million won) provided by PLANT Light Source, PMT (115 ~ 195 nm), Monochrometer included
- Plasma radical density measurement in the region below VUV (< 200 nm)
- Measuring the radical density in VHF (140MHz) and UHF (340MHz) auxiliary electrodes in PECVD
2) Design of Micro Hollow Cathode Lamp for Optical Absorption Spectroscopy (OAS)
○ Design and development of auxiliary plasma source device
- RFHIC is working on 800MHz ~ 2GHz GaN HEMT compact power supply with PLANT Professor Toyoda's team and UHF Antenna simulation and development
○ TCO related plasma radical density measurement is under way for horizontally opposed sputtering equipment.
○ Developed large area 370 × 470 mm², 650 × 350 mm², and 650 × 450 mm² PECVD source with improved uniformity through computer simulation
○ Co-use ESR equipment and MeV TEM equipment in PLANT

나. Part 2 - Development of energy related thin film deposition technology
1) High efficiency solar cell thin film development
- Completed production of n-layer and p-layer evaporation equipment with participation company (Ato solution)
- Collaboration network with Professor Shiratani of Kyushu University, a solar cell expert in Japan
- Crystallinity: controllable process up to 80% (deposition temperature < 300 ℃)
- Microcrystalline thin film synthesis at a deposition rate of 1.8 nm/s in a UHF assisted RF-PECVD process
- Microcrystalline thin film synthesis with about 40% crystallinity on polyimide
- Analyze using PLANT's in-situ ESR (Electron spin resonance) equipment
2) Development of new material technology for fuel cell thin film electrode
- Analysis of structure of carbon thin film synthesized by sputtering method
- Electrical conductivity: 497.51 Ωcm^-1, resistivity: 0.0201 Ωcm
➔ Control of sputtering processing pressure parameter, getting porosity 21.289%
➔ Analysis by PLANT's HRTEM and in-situ ESR

C. Part 3 - Functinal films for flexible electronics
1) Anti-Scratch and Gas barrier film
○ Ultra high speed, high quality protective film and synthesis process
- Optical transmittance: Glass (>90 %), PET (>88 %), deposition temperature <90 ℃
- Hardness: > 8H, > 5.8 GPa, Water vapor transmission rate: 6.25 g/m²/day (Bare PET) → 6.1 x 10^-4 g/m²/day
2) TCO (Transparent Conductive Oxide) film development
- Design and construction of 3D confined magnetron sputtering system with further improved plasma density and process development
- Plasma diagnostics by Langmuir probe and optical emission spectrometer (OES)
- Investigation of between plasma diagnostics and film properties
- AZO (150 nm) : Optical transmittance > 88 %, Process temperature ~ 80℃, sheet resistance < 50 Ω/□
- ITO ultra thin film (40 nm): optical transmittance > 83 %, process temperature ~ 80℃, sheet resistance 150 Ω/□
(출처 : SUMMARY 11p)

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 제 출 문 ... 2
• 보고서 요약서 ... 3
• 요 약 문 ... 4
• S U M M A R Y ... 10
• C O N T E N T S ... 17
• 목차 ... 18
• 제 1 장 연 구 개 발 ... 19
• 제 1 절 : 연구개발의 목적 및 필요성 ... 19
• 제 2 절 : 국내외 기술개발 현황 ... 21
• 제 3 절 : 연구개발 내용 및 결과 ... 34
• 제 4 절 : 연구개발 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ... 72
• 제 5 절 : 연구개발 결과의 활용 계획 ... 73
• 제 2 장 기관유치 및 운영 ... 76
• 제 1 절 : 해외연구기관 유치 목적 및 필요성 ... 76
• 제 2 절 : 공동연구센터 운영 현황 ... 81
• 제 3 절 : 해외연구기관의 협력 성과 ... 92
• 제 4 절 : 해외연구기관 유치 노력 및 성과 ... 94
• 제 5 절 : 공동연구센터 자립 및 활용계획 ... 96
• 제 3 장 기타 사항 ... 99
• 제 1 절 : 사업추진과정에서 수집한 해외과학기술정보 ... 99
• 제 2 절 : 연구시설‧장비 현황 ... 99
• 제 3 절 : 기타 사업성과 ... 99
• 제 4 절 : 참고 문헌 ... 99
• 붙임 1 해외우수연구기관유치사업 연차별 목표 및 달성도 현황 ... 100
• 붙임 2 해외우수연구기관유치사업 예산 확보 및 사용 실적 ... 105
• 붙임 3 해외우수연구기관유치사업 대표 성과 및 연구성과 보고서 ... 112
• 끝페이지 ... 221