초록 ▼

연구의 목적 및 내용
목적: 저항스위칭을 통해 자성 산화물의 자기 특성 제어 연구 및 차세대 멀티 레벨 비휘발성 메모리소자에 활용 방법 제안. 본 연구를 통해, 자기 산화물의 저항과 자기적 특성을 동시에 제어, 변조하는 지배적인 메커니즘(들)을 파악하고, 차세대 멀티 레벨 메모리에 활용 가능한 저항 및 자기 특성의 조합에 최적화 된 변조 특성을 갖는 후보 물질을 제안한다.

내용:
① 다양한 자성 산화물 박막의 증착: 레이저 증착법과 습식증착법의 제조 변수를 최적화 하여 다양한 구조, 전기, 및 자기특성을 기진

연구의 목적 및 내용
목적: 저항스위칭을 통해 자성 산화물의 자기 특성 제어 연구 및 차세대 멀티 레벨 비휘발성 메모리소자에 활용 방법 제안. 본 연구를 통해, 자기 산화물의 저항과 자기적 특성을 동시에 제어, 변조하는 지배적인 메커니즘(들)을 파악하고, 차세대 멀티 레벨 메모리에 활용 가능한 저항 및 자기 특성의 조합에 최적화 된 변조 특성을 갖는 후보 물질을 제안한다.

내용:
① 다양한 자성 산화물 박막의 증착: 레이저 증착법과 습식증착법의 제조 변수를 최적화 하여 다양한 구조, 전기, 및 자기특성을 기진 자성 산화물 박막을 증착.

② 자성 산화물의 저항 및 자기특성 제어 메커니즘 연구: 다양한 자성 산화물의 저항과 자기적 특성을 동시에 제어하는 변조 연구를 통하여 저항변화와 자기특성 커플링의 지배적 메커니즘 파악.

③저항변화 및 자기특성 커플링의 극대화 및 최적 후보물질 제안: 저항변화와 자기특성 커플링의 지배적 메커니즘을 기반으로 저항스위칭을 통해 자기특성의 변화를 극대화. 또한 메모리 소재로 이용 가능한 최적 후보 자성 산화물 제안.

④ 새로운 멀티 레벨 메모리의 구조 제안: 저항변화와 자기특성 커플링 현상을 이용한 새로운 멜티 레벨 메모리 소자의 구조 제안.

연구결과
1. TaOx 박막에서 Cu 전극에 의한 새로운 저항 스위칭 메카니즘 연구
2. ZnO 및 페라이트 박막의 전이 금속 도핑에 의한 저항 스위칭 특성 향상 연구
3. 졸 겔로 제조 된 페라이트 박막의 두께가 저항 전환 특성에 미치는 영향
4. 저전력 메모리 소자를 위한 GaP 나노 그레인의 저항 스위칭 특성 연구
5. 가시 광선 아래의 광촉매 응용을 위한 자성 코어 - 쉘 페라이트 복합나노 물질의 합성 및 광촉매 특성 연구

연구결과의 활용계획
1. 저항변화 및 자기특성 변조를 동시에 이용하는 메모리 소자의 구현은 차세대 메모리 분야에 활용되고, 반도체 산업의 핵심부품으로서 메모리 기반 각종 정보기술 분야에서 활용될 것으로 기대된다.

(출처 : 요약문 4p)

Abstract ▼

Purpose&contents
Investigation and optimization of the magnetic modulation through resistance switching (RS) in magnetic oxides for potential applications of multi-level nonvolatile memory devices. We will identify the dominant mechanism(s) of simultaneous modulation of resistance and magnetic pr

Purpose&contents
Investigation and optimization of the magnetic modulation through resistance switching (RS) in magnetic oxides for potential applications of multi-level nonvolatile memory devices. We will identify the dominant mechanism(s) of simultaneous modulation of resistance and magnetic properties in magnetic oxides, and propose candidate materials with optimized modulation properties for the combination of RS and magnetic properties in future novel memory devices.

Result
1. Cu electrode induced novel resistance switching mechanism in TaOx thin film

2. Transition metal doping effect in improving the resistance switching properties of ZnO and Ferrite thin films

3. Thickness effect in the resistance switching property of sol-gel prepared ferrite thin films

4. GaP nanograin resistance switching property investigation for low power consumption memory devices

5. Ferrite based nano composite materials for visible light photocatalytic applications

Expected Contribution
The obtain results through this project will be applied to the improvement and development of high performance and multi-levle high density resistive non-volatile memory devices.

The results related to photocatalyst will be applied to environmental applications in water clearing system with visible light radiation.

(출처 : SUMMARY 5p)

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 목차 ... 2
• 연구계획 요약문 ... 3
• 연구결과 요약문 ... 4
• 한글요약문 ... 4
• SUMMARY ... 5
• 연구내용 및 결과 ... 6
• 1. 연구개발과제의 개요 ... 6
• 2. 연구수행 내용 및 결과 ... 7
• 3. 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ... 8
• 4. 연구결과의 활용계획 ... 9
• 5. 주관연구책임자 대표적 연구실적 ... 10
• 6. 참고문헌 ... 10
• 7. 연구성과 ... 10
• 8. 국가과학기술지식정보서비스에 등록한 연구시설‧장비 현황 ... 15
• 9. 기타사항 ... 15
• 별첨1 대 표 연 구 성 과 ... 16
• 별첨2 세부 목표 관련 증빙 ... 31
• 끝페이지 ... 40