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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국외국어대학교 Hankuk University of Foreign Studies |
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연구책임자 | 유춘리 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2017-08 |
과제시작연도 | 2016 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
과제관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO201800003762 |
과제고유번호 | 1711041825 |
사업명 | 개인연구지원 |
DB 구축일자 | 2018-04-21 |
키워드 | 저항스위칭.저항병화메모리.자성산화물.멀티 레벨 메모리.Resistance switching.Resistance switching memory.magnetic oxide.multi-level memory devices. |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201800003762 |
연구의 목적 및 내용
목적: 저항스위칭을 통해 자성 산화물의 자기 특성 제어 연구 및 차세대 멀티 레벨 비휘발성 메모리소자에 활용 방법 제안. 본 연구를 통해, 자기 산화물의 저항과 자기적 특성을 동시에 제어, 변조하는 지배적인 메커니즘(들)을 파악하고, 차세대 멀티 레벨 메모리에 활용 가능한 저항 및 자기 특성의 조합에 최적화 된 변조 특성을 갖는 후보 물질을 제안한다.
내용:
① 다양한 자성 산화물 박막의 증착: 레이저 증착법과 습식증착법의 제조 변수를 최적화 하여 다양한 구조, 전기, 및 자기특성을 기진
Purpose&contents
Investigation and optimization of the magnetic modulation through resistance switching (RS) in magnetic oxides for potential applications of multi-level nonvolatile memory devices. We will identify the dominant mechanism(s) of simultaneous modulation of resistance and magnetic pr
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