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NTIS 바로가기주관연구기관 | 연세대학교 Yonsei University |
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연구책임자 | 임성일 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2017-04 |
과제시작연도 | 2016 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO201800004029 |
과제고유번호 | 1711037412 |
사업명 | 개인연구지원 |
DB 구축일자 | 2018-04-28 |
키워드 | 나노조각.이동도.전계효과 트랜지스터.2차원 신물질.캘코지나이드.혼성소자.금속-반도체 전계효과 트랜지스터.p-n 접합 다이오드.쇼트키 다이오드.Nanoflake.Mobility.FET.2D new material.Chalcogenide.Hybrid Device.MESFET.p-n junction diode.schottky diode. |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201800004029 |
연구의 목적 및 내용
본 연구진은 “1000 ㎠/V s 이상 고 이동도를 가진 신물질 2차원 나노조각 기반 FET 구현 및 응용소자 개발” 을 최종목표로 하였고 연차적 세부목표는 다음과 같다.
1. 200 ㎠/V s 급 고 이동도 MoS2 MISFET 개발 및 ZnO 나노선 혼성 인버터 회로 개발.
2. MoS2/WSe2 기반 2D MISFET CMOS 및 p-n 접합, 쇼트키 접합 다이오드 개발.
3. 캘코지나이드 나노 조각/그래핀 접합을 이용한 소자
Purpose&contents
Ultimate purposes of our research would be "Study and developments of extremely high mobility 2D nanoflake-based FETs aiming at 1000 ㎠/V s and various related applications". Detailed research purposes contain the studies and developments of 1) MoS2 MISFET-ZnO nanowire
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