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적외선 열화상 기법을 이용한 반도체 미세결함 측정평가
Measurement Evaluation of Semiconductor Micro Defect using Thermography Technology 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 엔투
연구책임자 박찬주
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2017-05
과제시작연도 2016
주관부처 과학기술정보통신부
Ministry of Science and ICT
등록번호 TRKO201800005026
과제고유번호 1711037107
사업명 개인연구지원
DB 구축일자 2018-05-05
키워드 적외선 열화상.복합재.미세결함.일반결함.웨이퍼.비파괴검사.해석 알고리즘.접사렌즈.위상잠금.Infrared Thermography.Composite Material.Fine Defect.Common Defect.Wafer.Nondestructive Inspection.Interpretation Algorithm.Macro Lens.Lock-in Function.
DOI https://doi.org/10.23000/TRKO201800005026

초록

연구의 목적 및 내용
본 연구의 목적은 적외선 열화상 기법 미세결함 측정 시스템을 구축함에 있어 적외선 열화상 이론을 바탕으로 시스템을 구성하였고, 제어, 측정 및 해석 프로그램을 개발하였다. 일반 결함시험편, 웨이퍼, 복합재를 대상으로 측정하여 연구 결과의 신뢰성을 확보하였으며, 국가 과학기술의 발전 및 경쟁력 강화 기여에 목표를 두었다. 이를 위한 본 과제의 최종 목적은 다음과 같다.
▶적외선 열화상 카메라를 이용하여 복합재와 같은 정밀 부품을 마이크로 급의 높은 분해능으로 비접촉, 비파괴 식으로 미세결함을 측정하는

Abstract

Purpose&contents
The purpose of this research to construct a system based on the theory of infrared thermal image in constructing infrared thermal imaging fine defect measurement system, developed a control, measurement and analysis program.
By measuring general defect test pieces, wafers, and

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 목차 ... 2
  • 연구계획 요약문 ... 3
  • 연구결과 요약문 ... 4
  • 한글요약문 ... 4
  • SUMMARY ... 5
  • 연구내용 및 결과 ... 6
  • 1. 연구개발과제의 개요 ... 6
  • 2. 국내외 기술개발 현황 ... 9
  • 3. 연구수행 내용 및 결과 ... 11
  • 4. 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ... 32
  • 5. 연구결과의 활용계획 ... 33
  • 6. 연구과정에서 수집한 해외 과학기술정보 ... 33
  • 7. 주관연구책임자 대표적 연구실적 ... 34
  • 8. 참고문헌 ... 34
  • 9. 연구성과 ... 35
  • 10. 국가과학기술지식정보서비스에 등록한 연구시설‧장비 현황 ... 36
  • 11. 연구개발과제 수행에 따른 연구실 등의 안전조치 이행실적 ... 36
  • 12. 기타사항 ... 37
  • 끝페이지 ... 37

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