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NTIS 바로가기주관연구기관 | 경희대학교 Kyung Hee University |
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연구책임자 | 김진교 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2017-05 |
과제시작연도 | 2016 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO201800005831 |
과제고유번호 | 1345247863 |
사업명 | 이공학개인기초연구지원 |
DB 구축일자 | 2018-05-12 |
DOI | https://doi.org/10.23000/TRKO201800005831 |
GaN는 직접 천이형 전자띠구조를 갖는 화합물 반도체로서 InGaN 및 AlGaN의 ternary alloy 형태로 양자우물구조의 active layer에 사용되어 가시광선 뿐 아니라 적외선, 자외선 영역 파장의 빛을 만들어낼 수 있는 광소자의 기반 물질이다. 이미 c-oriented GaN 박막 기반 광소자들이 널리 상용화되었지만, GaN의 non-centrosymmetric한 결정 구조적 특징에 기인하여 c-oriented GaN 박막에서 발생하는 quantum confined Stark effect(QCSE) 때문에 광효율을
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