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신경세포 모방 시냅스 소자기술개발
Neuron Mimicking synaptic device development 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 대구경북과학기술원
Daegu Gyeongbuk Institute of Science and Technology
연구책임자 이명재
참여연구자 정민경 , 서정필
보고서유형연차보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2017-12
과제시작연도 2017
주관부처 과학기술정보통신부
Ministry of Science and ICT
등록번호 TRKO201800022866
과제고유번호 1711063417
사업명 대구경북과학기술원연구운영비지원(0.5)
DB 구축일자 2018-06-23
키워드 저항변화.시냅스.뉴런.멤리스터.다중치 저항.Resistance change.Synapse.Neuron.Memristor.Multi-value resistance.

초록

▶ 새로운 nano-scale 소자의 기술과 뇌의 구조에 관한 이해를 바탕으로 두뇌의 기능과 동작을 모방하는 멤리스터 cross-point array 기반의 신경모방 시냅스소자 개발
- Multi-value (다중치) 저항을 갖는 TaOx 멤리스터 개발
- 아날로그 특성과 같은 연속적인 비휘발성 다중치 저항 스위칭을 갖는 저항변화 재료(TaOx)를 개발하고, 이와 같은 개발된 재료를 기반으로 한 인간 뇌의 시냅스를 하드웨어적으로 모사할 수 있는 기본 뉴로모픽 소자 구현을 위한 소자 특성 평가 진행

▶ Cros

Abstract

Development of a new nano-scale memristor cross-point device array which mimics brain-like operation based on new understanding of mechanisms in biological brains. Research into a resistive switching non-volatile material (TaOx) with multi-level stable, analogue-like continuous

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 제 출 문 ... 2
  • 보고서 초록 ... 3
  • 요 약 문 ... 4
  • S U M M A R Y ... 5
  • C O N T E N T S ... 6
  • 목차 ... 7
  • 제 1 장 연구개발과제의 개요 ... 8
  • 제 1 절 연구개발 목적 및 필요성 ... 8
  • 제 2 장 국내외 기술개발 현황 ... 10
  • 제 1 절 국내외 기술개발 현황 ... 10
  • 제 3 장 연구개발수행 내용 및 범위 ... 14
  • 제 1 절 연구개발 수행 내용 ... 14
  • Ⅳ. 연구개발결과 ... 19
  • 제 1 절 저항변화 스위칭 특성을 기반으로 한 TaOx 시냅스 소자 제작 및 특성 평가 ... 19
  • Ⅴ. 연구개발결과의 활용계획 ... 22
  • 제 1 절 성과활용방향 ... 22
  • 제 2 절 기대효과 ... 22
  • 제 3 절 관련분야에의 기여도 ... 23
  • 제 4 절 목표 달성도 ... 23
  • 제 6 장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보 ... 24
  • 제 1 절 현보유 기술대비 국내외 기술개발 현황 비교 ... 24
  • 제 7 장 참고문헌 ... 25
  • 끝페이지 ... 26

표/그림 (19)

참고문헌 (25)

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