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Kafe 바로가기주관연구기관 | 명지대학교 MyongJi University |
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연구책임자 | 김재순 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2016-07 |
과제시작연도 | 2015 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
등록번호 | TRKO201800039540 |
과제고유번호 | 1711026076 |
사업명 | 전자정보디바이스산업원천기술개발 |
DB 구축일자 | 2018-11-03 |
키워드 | 반도체.디스플레이.측정.검사.광학계.전산모사.패널. |
□ 핵심기술
반도체/디스플레이의 결함 검출 용 광학 시뮬레이션 설계와 복합광 검사 장비의 프로토타입 제작
□ 최종목표
- 광학 시스템 최대 검출감도 28nm
- Illumination system의 beam uniformity 5%이내
- UD 급 LCD패널 검사 장비용 광학계의 분해능 40.4㎛
- 파장 변화에 따른 시뮬레이션 database 구축
- 복합광 검사장비 프로토타입 제작(재현성 ≤ 1nm, S/N ratio≥150)
- 복합광 검사장비 프로토타입 성능평가 : L/S p
□ 핵심기술
반도체/디스플레이의 결함 검출 용 광학 시뮬레이션 설계와 복합광 검사 장비의 프로토타입 제작
□ 최종목표
- 광학 시스템 최대 검출감도 28nm
- Illumination system의 beam uniformity 5%이내
- UD 급 LCD패널 검사 장비용 광학계의 분해능 40.4㎛
- 파장 변화에 따른 시뮬레이션 database 구축
- 복합광 검사장비 프로토타입 제작(재현성 ≤ 1nm, S/N ratio≥150)
- 복합광 검사장비 프로토타입 성능평가 : L/S pattern 16nm half pitch(wafer scale)
□ 개발내용 및 결과
- 최대 검출감도 20nm인 광학시스템 설계
- Beam uniformity 5%이내인 Illumination system 설계
- 분해능 40.4㎛를 갖는 LCD 패널 검사 장비 개발
- 6.7 nm beyond EUV (BEUV) 파장의 이미징 database 구축
- 재현성≤1nm, S/N ratio≥150을 만족하는 복합광 검사장비 프로토타입 제작 및 성능평가
L/S pattern 16nm half pitch(wafer scale) 이미지 재구성
□ 기술개발 배경
반도체/디스플레이 제조 공정에 의해 형성된 결과물 패턴의 형상 및 크기를 측정하고 결함을 신속하게 찾아내는 것은 제조 공정의 양산 수율 확보에 가장 중요한 관전 중 하나이다.
□ 핵심개발 기술의 의의
광학시스템의 검출감도는 세계 최고 수준은 30nm이고 연구 개발 전국내수준은 60nm이다. 연구의 최종 목표는 28nm급 결함을 검출 할수 있는 고해상도 검출 시스템을 설계한다.
복합광 검사시스템의 세계 최고 수준은 1Xnm급이고 연구 개발 전 국내에서는 갖추고 있지 않은 기술이다. 연구의 최종 목표는 16nm급의 복함광 검사 기술을 갖추는 것을 목표로 한다.
□ 적용 분야
디스플레이 패널 검사
반도체 웨이퍼 결함 검사
( 출처: 최종보고서 초록 - 3. 개발결과 요약 4p )
과제명(ProjectTitle) : | - |
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연구책임자(Manager) : | - |
과제기간(DetailSeriesProject) : | - |
총연구비 (DetailSeriesProject) : | - |
키워드(keyword) : | - |
과제수행기간(LeadAgency) : | - |
연구목표(Goal) : | - |
연구내용(Abstract) : | - |
기대효과(Effect) : | - |
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