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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국전자통신연구원 Electronics and Telecommunications Research Institute |
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연구책임자 | 배성범 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2017-07 |
과제시작연도 | 2016 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
등록번호 | TRKO201800040214 |
과제고유번호 | 1711041049 |
사업명 | 전자정보디바이스산업원천기술개발 |
DB 구축일자 | 2018-09-22 |
키워드 | 질화갈륨.전력반도체.유기금속기상증착장치.실리콘-게르마늄.선택적 에피성장. |
핵심기술
o 800V급 GaN 전력반도체 에피성장 및 소자평가 기술
o 저결함 SixGe1-x 선택적 에피성장 및 분석·평가 기술
최종목표
o 차세대 GaN 전력반도체 에피 원천기술 개발
- 2-DEG mobility : ≥ 1,800 cm2/V·s
- 2-DEG sheet resistance : ≤ 400 Ω/sq.
o 차세대 GaN 전력반도체 소자기술 개발 및 검증
- HEMT current density : ≥ 500 mA/mm
- HEMT leakag
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