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연합인증

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고성능 저전력 Post-Si 반도체소자 기술개발
Development of high-performance low-power post-Si semiconductor device technology 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국과학기술연구원
Korea Institute Of Science and Technology
연구책임자 송진동
참여연구자 최정혜 , 이수연 , 정병기 , 이경석 , 황규원 , 김형준 , 이억재 , 최원준 , 박민철 , 황도경 , 주현수 , 김상현 , 김성근
보고서유형1단계보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2018-01
과제시작연도 2017
주관부처 과학기술정보통신부
Ministry of Science and ICT
등록번호 TRKO201800042562
과제고유번호 1711063819
사업명 한국과학기술연구원연구운영비지원
DB 구축일자 2018-11-03
키워드 Si 기판상 3-5족.저전력.3-5 상보성소자.실리콘포토닉스.논리소자.III-V on Si.low power.3-5 CMOS.Silicon photonics.logic device.

초록 ▼

목표: 3-5 CMOS 원천 소자 구현: 상용화 spec실시
3-5 소자 on Si 에피/접합 원천기술 확보 이를 통한 Si-compatible LD/PD 단위소자 및 3-5 CMOS on Si 소자 개발. 3-5 on Si에 대한 국내외 산학연의 기술적 Center확립; 상용화 spec 실시, World leading Group 확보

In(Ga)As(Sb) n,p-FET on SiIoff < 100pA/um, Ion > 200uA/um, Ron < 100 ohm.um @ <0.5V

결과: 상기 개의

Abstract ▼

IV. R & D results
1. ELO Area, 20cm2
2. Threshold Current density; 3-5 LD on Si with DFB, <70A/cm2 @ 1300nm
3&4. InGaAs n/p-FET on Patterend Si / InGaAs NW FET on patterned Si [Lateral NW], Ioff < 1nA, Ion > 175 uA/um, Ron < 300 ohm.um @ 0.4 under test. [World record]
5. 3-5 CMOS Gate,

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 제출문 ... 2
  • 보고서 초록 ... 3
  • 요약문 ... 4
  • SUMMARY ... 7
  • 목차 ... 9
  • 제1장 연구개발과제의 개요 ... 10
  • 제1절. 연구개발의 필요성 ... 10
  • 제2절. 연구개발 목표 ... 14
  • 제2장 국내외 기술개발 현황 ... 18
  • 제3장 연구개발수행 내용 및 결과 ... 22
  • 제1절. 연구개발 내용 및 방법 ... 22
  • 제2절. 연구진 구성 및 역할 ... 27
  • 제3절. 연구수행 내용 및 결과 [2015년] ... 28
  • 제4절. 연구수행 내용 및 결과 [2016년] ... 62
  • 제5절. 연구수행 내용 및 결과 [2017년] ... 82
  • 제6절. 연구수행 내용 및 결과 ... 91
  • 제4장 목표달성도 및 관련분야에의 기여도 ... 96
  • 제5장 연구개발결과의 활용계획 ... 97
  • 제1절. 2단계 목표 (2단계 2018-2020) ... 97
  • 제2절. 2단계 연구내용 ... 103
  • 제6장 연구개발과정에서 수집한 해외과학기술정보 ... 105
  • 제7장 참고문헌 ... 105
  • 끝페이지 ... 106

표/그림 (115)

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