최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기주관연구기관 | 울산대학교 University of Ulsan |
---|---|
연구책임자 | 김태우 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2019-03 |
과제시작연도 | 2018 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO201900020099 |
과제고유번호 | 1711069706 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2020-04-18 |
키워드 | 계면 준위 밀도.III-V.MOSFET.ALD.high-k.conductance method. |
□ 연구개요
- 기존의 실리콘 기반 반도체 소자가 아닌, 높은 전자 이동도 특성을 가지는 III-V 물질을 기반으로 한 반도체 소자의 채널층-절연막층의 계면 특성을 분석하고자한다.
- 물리적 스케일링의 한계에 도달한 실리콘 기반 소자가 아닌, 높은 전자 이동도 특성으로 인하여 차세대 반도체로 각광받고 있는 III-V 물질을 기반으로 반도체 소자에 대한 계면 특성 분석 및 개선을 하고자 한다.
□ 연구 목표대비 연구결과
1) 최종연구 목표
- 본 연구과제에서는, 수직/수평 구조를 가지는 III-V
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.