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NTIS 바로가기주관연구기관 | 성균관대학교 SungKyunKwan University |
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연구책임자 | 박진홍 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2018-05 |
과제시작연도 | 2017 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
과제관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO201900022883 |
과제고유번호 | 1711051970 |
사업명 | 개인기초연구(미래부) |
DB 구축일자 | 2020-07-29 |
키워드 | 배리스터 소자.그래핀.접촉 저항.구동 전압.WSe2.MoS2.APTES.on/off ratio.LPCVD. |
• 연구개요
동작전압 ~0.8 V 이상을 필요로 하는 기존 실리콘 및 3차원 소재 기반 전자소자로는 도래하는 사물인터넷(Internet of Things; IoT) 시대의 저전력 요구에 대응할 수 없으므로, 새로운 소재 및 구조 기반 신개념 소자/소재의 개발이 요구된다. 본 과제에서는 기존 Si 기반의 트랜지스터의 한계를 극복하기 위한 방법 중의 하나로 기대되는 전이금속칼코겐 화합물(TMD) 기반 저전력 그래핀 배리스터 소자에 관한 연구를 제안한다. 특히 (1) 그래핀/TMD 배리스터 소자의 동작원리를 이해할 수 있는 이론적
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