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NTIS 바로가기주관연구기관 | 아주대학교 Ajou University |
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연구책임자 | 허준석 |
참여연구자 | 박희준 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2018-06 |
과제시작연도 | 2017 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO201900024113 |
과제고유번호 | 1711057454 |
사업명 | 원자력연구기반확충사업 |
DB 구축일자 | 2020-08-15 |
키워드 | MoS2 포토트랜지스터.열중성자.가돌리늄-이산화티탄.양자점.나노구조.MoS2 phototransistor.thermal neutron.Gd-TiO2.quantum dot.nano-structure. |
본 연구의 최종목표는 열중성자 변환을 위한 변환층과 유기금속 할로겐화물 페로브스카이트-이황화 몰리브덴 기반 광트랜지스터를 이용한 유연 열중성자 검출 소자를 개발하는 것으로 아래와 같은 세부 연구개발 성과를 거두었다.
1) 열중성자가 반응하는 가돌리늄과 고굴절률 물질인 이산화티탄과 유연한 폴리이미드 소재를 이용한 열중성자 변환층 개발
2) 체렌코프 광 흡수 향상을 위한 선택적 반사방지 나노구조 연구
3) 고응답도 페로브스카이트-이황화몰리브덴 기반 높은 반응도의 포토트랜지스터 개발
4) 트랩에 대한 이황화몰리브덴
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