최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기주관연구기관 | 홍익대학교 Hongik University |
---|---|
연구책임자 | 김형탁 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2018-06 |
과제시작연도 | 2017 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO201900024626 |
과제고유번호 | 1711057525 |
사업명 | 원자력연구기반확충사업 |
DB 구축일자 | 2020-08-22 |
키워드 | 싸이클로트론.양성자.내방사선.질화갈륨.결함.Cyclotron.Proton.Radiation Hardness.Gallium Nitride.Defect. |
□ 연구의 목적 및 내용
내방사선 특성이 우수한 질화갈륨(GaN) 반도체 소자의 특성개선 공정으로서 양성자 조사를 활용하고자 함.
질화갈륨 반도체 내부에 다량으로 존재하는 결함들은 전자 트랩으로 작용하여 소자의 특성을 저하시킴.
강한 에너지의 양성자 조사를 수행하여 트랩 농도 및 분포에 대한 변화를 유도하여 소자 특성을 개선하고자 함.
반도체에 대한 내방사선 특성 평가를 위해 싸이클로트론을 사용한 양성자 조사 실험이 진행된다. 양성자 조사 조건에 따라 반도체에 발생하는 결함 밀도 및 분포의 변경이 가능하고 필요
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.