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NTIS 바로가기주관연구기관 | 포항공과대학교 Pohang University of Science and Technology |
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연구책임자 | 이익재 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2019-11 |
과제시작연도 | 2019 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202000000606 |
과제고유번호 | 1345303042 |
사업명 | 개인기초연구(교육부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2020-05-30 |
키워드 | 투명전도산화물.아연주석산화물.X-선 회절.X-선 반사.X-선 흡수.스퍼터.광전자분광학.광흡수분광학. doped ZnO. |
연구개요
ZnO, SnO2, In2O3, Ga2O3 등 2가지 원소로 이루어진 산화물을 기반으로 하는 2성분계 반도체로 ZnO 기반의 박막트랜지스터(Thin-Film Transistor, TFT)는 높은 운반자 농도로 인한 소자제어성의 감소, 결함들로 인한 소자 특성의 불안정, 외부환경과의 반응 등의 문제가 야기 되었다. Zinc(Zn) 위치에 1족의 원소를 도핑하거나 Oxygen(O) 위치에 5족의 원소를 도핑 하여 이러한 문제
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