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NTIS 바로가기주관연구기관 | 성균관대학교 SungKyunKwan University |
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연구책임자 | 최병덕 |
참여연구자 | 최평호 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2019-11 |
과제시작연도 | 2019 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
과제관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO202000000832 |
과제고유번호 | 1345302315 |
사업명 | 개인기초연구(교육부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2020-05-30 |
키워드 | 결정 결함.채널 결함.전기적 특성 규명.신뢰성.Carrier Generation Lifetime. |
□ 연구개요
Si 기반 transistor (TR) 소자의 scaling 한계로 인해 높은 carrier 이동도의 Ge 및 III-V 화합물 TR가 기존의 Si 소자를 대체할 수 있을 것으로 예상됨. 따라서 본 연구에서는 Si, SiGe, Ge 및 III-V 화합물 기판 채널에서 발생되는 결함이 소자 성능에 미치는 영향을 평가 및 규명하고, 최종적으로 소자의 전기적 특성 예측 기술을 개발하고자 함.
□ 연구 목표대비 연구결과
채널 소재 별 MOS-capacitor 제작 및 capacitance/generati
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