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[국가R&D연구보고서] 차세대 Sub-10nm DRAM용 데이터베이스 기반 저잡음 회로 및 시스템 기술
Database-based Low Noise Circuit and System Technology for Next Generation Sub-10nm DRAMs 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한라대학교
연구책임자 민영재
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2022-03
과제시작연도 2020
주관부처 과학기술정보통신부
Ministry of Science and ICT
과제관리전문기관 한국연구재단
National Research Foundation of Korea
등록번호 TRKO202200015426
과제고유번호 1711148428
사업명 개인기초연구(과기정통부)(R&D)
DB 구축일자 2022-11-15
키워드 저잡음 회로 및 시스템.전원 무결성.데이터베이스.강화학습.DRAM.Low Noise Circuit and System.Power Integrity.Database.Reinforcement Learning.

초록

※ 연구개요
본 연구에서는 차세대 10nm급 초미세공정 전환에 대비한 DRAM Interface에서의 Power Integrity 이슈 대응을 위한 데이터베이스 기반 예측시스템 원천기술 연구를 수행한다. 실물 DRAM 정합성 확보된 Power Distribute Network(이하 PDN) 기반 모델링 환경을 활용하여 다양한 조건의 데이터베이스를 구축하고, Refresh를 포함한 전원 잡음 발생의 예측시스템 개발을 연구 목표로 한다. 광대역 DRAM Interface 회로 기술에 적용하여 Power Integrity 신뢰성에

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 연구결과 요약문 ... 2
  • 목차 ... 3
  • 1. 연구개발과제의 개요 ... 4
  • 2. 연구개발과제의 수행 과정 및 수행 내용 ... 5
  • 3. 연구개발과제의 수행 결과 및 목표 달성 수준 ... 6
  • 1) 정성적 연구개발성과(연구개발결과) ... 6
  • 2) 세부 정량적 연구개발성과 ... 10
  • 3) 목표 달성 수준 ... 10
  • 4. 연구개발성과의 관련 분야에 대한 기여 정도(연구개발결과의 중요성) ... 11
  • 5. 연구개발성과의 관리 및 활용 계획 ... 12
  • 6. 참고문헌 ... 13
  • [붙임1] 세부 정량적 연구개발성과 ... 14
  • [붙임2] 연구책임자 대표적 연구실적 및 증빙(요약문 및 사본) ... 15
  • 끝페이지 ... 22

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참고문헌 (25)

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