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2차원 소재의 대면적 저온공정 및 적층소자의 집적회로 기술 개발
Development of Large Area and Low Temperature Process and 3D Hybrid Integration for 2D Materials 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한양대학교
HanYang University
연구책임자 전형탁
참여연구자 신영한 , 서형탁 , 전기준 , 이승백
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2019-09
주관부처 과학기술정보통신부
Ministry of Science and ICT
등록번호 TRKO202000001387
DB 구축일자 2020-07-29
키워드 2차원.대면적.저온.도핑.트랜지스터.2-dimensional.large area.low temperature.doping.transistor.

초록

기존 2차원 소재의 물성 및 공정 한계점을 해결하기 위해, 본 연구팀은 ① 2차원 황화물기반 ② 그래핀 기반 ③ 산화물 기반 소재의 공정 개발을 연구한다.
① 2차원 황화물기반 소재연구에서는 원차증 증착법(ALD)을 이용하여 저온 공정을 개발하고자 한다. 이를 이용하여 전구체, 황 기반 가스의 주입시간 및 공정압 조절을 통해 최적의 recipe 확립함과 동시에 컴퓨터 시뮬레이션을 통하여 실제 증착결과와 비교 분석하여 최적의 대면적 저온 공정을 개발할 예정이다.
② 그래핀 기반 소재 연구에서는 원자구조를 변형하여 구조 결정

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 제 출 문 ... 2
  • 보고서 요약서 ... 3
  • 요약문 ... 4
  • 목차 ... 5
  • 1. 연구개발과제의 개요 ... 6
  • 1절 연구개발의 개요 ... 6
  • 2절 연구개발의 필요성 ... 6
  • 2. 연구수행내용 및 성과 ... 9
  • 1절 - 세부 1 연구 내용 ... 9
  • 2절 - 세부 2 연구 내용 ... 70
  • 3절 - 세부 3 연구 내용 ... 88
  • 3. 목표 달성도 및 관련 분야 기여도 ... 117
  • 1절 목표 ... 117
  • 2절 목표 달성도 여부 ... 122
  • 3절 목표 미달성 시 원인(사유) 및 차후대책(후속연구의 필요성 등) ... 124
  • 4. 연구개발성과의 활용 계획 ... 126
  • 참고 문헌 ... 128
  • 끝페이지 ... 129

표/그림 (224)

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참고문헌 (25)

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