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NTIS 바로가기주관연구기관 | 중앙대학교 Chung Ang University |
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연구책임자 | 권혁인 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2020-03 |
과제시작연도 | 2019 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202000004193 |
과제고유번호 | 1711083396 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2020-07-29 |
키워드 | 산화물 반도체.박막트랜지스터.상보적 로직회로.3차원 적층구조.유연기판. |
□ 연구개요
본 연구과제는 산화물 박막 트랜지스터에 기반한 3차원 적층형 CMOS 공정 개발 및 이를 활용한 고성능 고신뢰성 CMOS 회로 구현을 목표로 3개년에 걸쳐 진행되었음.
각 연차별 세부 연구 성과는 아래와 같음.
■ 1차년도: 산화물 박막 트랜지스터 기반 3차원 CMOS 적층구조 설계 및 기본 공정 조건 확립
■ 2차년도: 산화물 박막 트랜지스터 기반 3차원 적층형 CMOS 공정상의 n/p channel 트랜지스터 성능 및 신뢰성 고도화와 고성능 CMOS 회로 구현
■ 3차년도: 유연성 기판 및
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