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연구로 이용 차세대 반도체 도핑 및 분석 기술 개발 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국원자력연구원
Korea Atomic Energy Research Institute
연구책임자 선광민
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2019-05
주관부처 과학기술정보통신부
Ministry of Science and ICT
등록번호 TRKO202000006676
DB 구축일자 2020-07-29
키워드 중성자(핵변환) 도핑.전력 반도체.중성자방사화분석.불순물 분석.양전자소멸분광.Neutron Transmutation Doping.Power Semiconductor.Neutron Activation Analysis.Impurity Analysis.Positron Annihilation Spectroscopy.

초록 ▼

- 12인치 대용량 실리콘 단결정 중성자 균일 조사방법론 및 도핑장치 설계
- 중성자 조사에 따른 SIC반도체 잔류방사능/중성자 조사 결함 평가
- 반도체에 대한 방사화 분석절차/극미량 불순물 분석 기술 개발
- 중성자 공간분포 측정을 위한 모니터링 키드/ 배열형 감시시편 기술 개발
- 방사화 시편 이용 조사공 특성평가 방법 개발 및 조사공 내 중성자 스펙트럼 측정
- 양전자빔을 생성할 수 있는 Cd/W 컨버터를 개발 및 생성된 양전자 수율 측정을 위해 양전자 동시계수 분광계를 구축
- 또한 방사성동

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 제 출 문 ... 2
  • 보고서 요약서 ... 3
  • 요약문 ... 4
  • 목차 ... 5
  • 1. 연구개발과제의 개요 ... 6
  • 가. 연구 개발의 개요 ... 6
  • 나. 연구 개발 대상의 국내·외 연구현황 ... 7
  • 다. 연구 개발의 중요성 ... 12
  • 2. 연구수행내용 및 성과 ... 15
  • 가. 연구 개발 목표 및 내용 ... 15
  • (1) 연구 개발 목표 ... 15
  • (2) 연구 개발 내용 ... 15
  • 나. 연구범위 및 연구수행 방법 ... 16
  • 다. 연구수행 내용 및 결과 ... 20
  • (1) 연구수행 내용 및 결과(요약) ... 20
  • (2) 연구수행 내용 및 결과(서술) ... 29
  • 라. 연구개발 성과 ... 157
  • (1) 연구개발 실적 ... 157
  • (2) 연구개발 결론 ... 160
  • 3. 목표 달성도 및 관련 분야 기여도 ... 161
  • 가. 목표 ... 161
  • 나. 목표 달성여부 ... 163
  • (1) 연구개발 목표의 달성도 ... 163
  • (2) 평가의 착안점에 따른 목표달성도에 대한 자체평가 ... 164
  • 다. 목표 미달성 시 원인(사유) 및 차후대책(후속연구의 필요성 등) ... 168
  • (1) 목표 미달성 내용 ... 168
  • (2) 원인 및 차후대책 ... 168
  • (3) 후속연구의 필요성 (서술) ... 168
  • 4. 연구개발성과의 활용 계획 등 ... 169
  • 가. SiC 반도체 중성자 도핑 기술 개발 ... 169
  • (1) 12인치 대용량 실리콘의 중성자 도핑 적용가능성 평가 ... 169
  • (2) SiC 반도체의 균일 중성자 도핑 방법론 ... 169
  • 나. 연구로 중성자 포획반응 기반 반도체 비파괴 분석 기술 개발 ... 170
  • (1) 컴프턴 노이즈 제거를 통한 방사선 투과 영상 개선 기법 특허 등록 ... 170
  • (2) 체적 샘플의 검출 효율 교정을 위한 전산모사 방법론 개발 ... 170
  • 다. 소재 격자 결함 분석을 위한 양전자 소멸 분광 기초 기술 개발 ... 172
  • (1) 양전자 생성 컨버터 설계 및 제작 ... 172
  • (2) 양전자 측정용 검출 어레이 (양전자동시측정 분광계) ... 172
  • 붙임. 참고문헌 ... 173
  • 끝페이지 ... 175

표/그림 (188)

참고문헌 (25)

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