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소형위성용 SoC 구현을 위한 고집적 SOI 공정 기반 저전력, 내방사선 내장형 메모리 설계 기술 연구 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 경희대학교
Kyung Hee University
연구책임자 장익준
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2018-05
과제시작연도 2017
주관부처 과학기술정보통신부
Ministry of Science and ICT
등록번호 TRKO202000006915
과제고유번호 1711052902
사업명 우주핵심기술개발
DB 구축일자 2020-09-12
키워드 에스램.소프트에러.누적방사선효과.SRAM.Soft-error.TID.

초록

연구의 목적 및 내용
소형 위성 시장이 크게 증가하고 있으며, 이와 더불어 인공위성에 탑재할 SoC들의 전력 효율성이 매우 중요해지고 있음. SoC의 전력 효율성을 높이는 가장 간단한 방법은 공급 전압을 낮추거나 고집적 공정을 사용하는 것임. 하지만, 우주의 극심한 방사능 환경 하에서 이러한 방법을 도입할 경우, SoC 안에 내장된 메모리의 동작 안정성이 방사능 입자들로 인한 소프트에러, TID 효과 등으로 인하여 크게 위협받을 수 있음. 본 연구는 이러한 문제점을 극복하고 30나노 이하의 초고집적 공정, 1V 이하의 낮은 공

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 제 출 문 ... 2
  • 보고서 요약서 ... 3
  • 요약문 ... 4
  • 목차 ... 5
  • 1. 연구개발과제의 개요 ... 6
  • 2. 연구수행내용 및 성과 ... 8
  • 3. 목표 달성도 및 관련 분야 기여도 ... 21
  • 3-1. 목표 ... 21
  • 3-2. 목표 달성여부 ... 21
  • 3-3. 목표 미달성 시 원인(사유) 및 차후대책 (후속연구의 필요성 등) ... 22
  • 4. 연구개발성과의 활용 계획 등 ... 23
  • 붙임. 참고문헌 ... 24
  • 끝페이지 ... 25

표/그림 (27)

참고문헌 (25)

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