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내방사선 고주파 소자 국산화 기술 개발 선행연구
Preceding Research of Localization Technology Development in Radiation Hardness Radio-Frequency Semiconductor Device 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국전자통신연구원
Electronics and Telecommunications Research Institute
연구책임자 장성재
참여연구자 김종규 , 김동석
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2020-09
과제시작연도 2019
주관부처 과학기술정보통신부
Ministry of Science and ICT
등록번호 TRKO202000031195
과제고유번호 1711100158
사업명 국가과학기술연구회연구운영비지원(R&D)(주요사업비)
DB 구축일자 2020-12-12
키워드 질화갈륨.육방정 질화붕소.고주파 소자.내방사선.Gallium Nitride.Hexagonal Boron Nitride.RF Device.Radiation Hardness.

초록

□ 연구목표
▪ 고품질 질화붕소를 적용한 항공우주용 S-band급 내방사선 고주파 소자 개발
- 질화붕소를 적용한 질화갈륨 기반 내방사선 고주파 소자 제작 기술 확보
- 금속-유기 화학 기상 증착법을 활용한 육방정 질화붕소 성장 기술 확보
- 고주파 소자의 방사선 내성 평가 기술 확보

□ 연구(pilot study; small scale) 내용 및 결과
▪ 방사선 내성이 향상된 고주파 소자 제작 기술 확보
- 질화붕소 보호층이 적용된 S-band급 고주파 소자 공정기술 확보 및 시

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 최종보고서 제출서 ... 2
  • 선행융합연구사업 최종보고서 ... 3
  • 보고서 요약문 ... 4
  • 목차 ... 6
  • 1. 연구 개요 ... 7
  • 1-1. 연구 필요성 ... 7
  • 1-2. 연구 목표 및 내용 ... 14
  • 2. 연구수행 내용 및 결과 ... 15
  • 2-1. 총괄 연구내용 및 결과 ... 15
  • 2-2. 세부과제별 연구내용 및 결과 ... 20
  • 2-3. 연구 성과 ... 56
  • 3. 연구 결과의 중요성 ... 60
  • 4. 향후 계획 ... 63
  • 5. 융합연구 생태계 조성 ... 65
  • 5-1. 융합연구 추진체계 ... 65
  • 5-2. 융합연구 추진실적 ... 68
  • 6. 연구비 집행실적 ... 69
  • 7. 참고문헌 ... 70
  • 첨부1 연구성과 ... 71
  • 끝페이지 ... 78

표/그림 (65)

참고문헌 (25)

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