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NTIS 바로가기주관연구기관 | 성균관대학교 SungKyunKwan University |
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연구책임자 | 송영재 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2018-09 |
과제시작연도 | 2017 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202000006927 |
과제고유번호 | 1711058146 |
사업명 | 개인기초연구(미래부) |
DB 구축일자 | 2020-09-12 |
키워드 | 그래핀.나노 리본.엣지.주사형 터널링 현미경.나노 벡터 에칭.스핀 소자.나노 자성. |
연구개요
대칭성이 깨진 그래핀의 전자구조 대한 모델 시스템으로서의 그래핀 엣지를 구현하기 위하여, 원하는 방향으로 탄소 원자가 배열되도록 하여 전하 산란 및 스핀 편극 현상을 원자 수준의 공간 해상도로 연구를 한다. 이와 같은, 특정 그래핀 엣지 형성 기술 및 그래핀 엣지의 스핀 편극에 대한 체계적인 연구는, 그래핀 나노 리본을 이용한 스핀 밸브와 같은 나노 스핀전자공학에서의 높은 자기저항비율을 갖는 소자 개발을 위한 기초연구에 큰 기여를 하는 것을 최종 연구 목표로 한다.
연구 목표대비 연구결과
■ 원자수준
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