초록 ▼

□ 연구개발 목표 및 내용
￭ 최종 목표
위성통신 송수신기용 GaN 기반 고주파 전력 반도체의 내방사선 향상 기술 개발
￭ 전체 내용
○ 반도체 소자의 내방사선 평가 기술 조사
○ 이온빔/방사선 조사를 통해 변화된 GaN 물성 분석
○ GaN 반도체 소자 제작 및 우주방사선 영향 평가
○ 내방사선 평가 결과 분석 및 내방사선 향상 소자 구조 제안
○ 내방사선 향상된 GaN 고주파 전력 반도체 소자 제작 및 평가
○ GaN 소자 기반 하이브리드 타입의 PA 구현 및 내방사선 평가

□ 연구개발 목표 및 내용
￭ 최종 목표
위성통신 송수신기용 GaN 기반 고주파 전력 반도체의 내방사선 향상 기술 개발
￭ 전체 내용
○ 반도체 소자의 내방사선 평가 기술 조사
○ 이온빔/방사선 조사를 통해 변화된 GaN 물성 분석
○ GaN 반도체 소자 제작 및 우주방사선 영향 평가
○ 내방사선 평가 결과 분석 및 내방사선 향상 소자 구조 제안
○ 내방사선 향상된 GaN 고주파 전력 반도체 소자 제작 및 평가
○ GaN 소자 기반 하이브리드 타입의 PA 구현 및 내방사선 평가
￭ 1단계(해당 시 작성)
• 목표 : 위성통신 송수신기용 GaN 기반 고주파 전력 반도체의 내방사선 향상 기술 개발
• 내용
○ 반도체 소자의 내방사선 평가 기술 조사
○ 이온빔/방사선 조사를 통해 변화된 GaN 물성 분석
○ GaN 반도체 소자 제작 및 우주방사선 영향 평가
○ 내방사선 평가 결과 분석 및 내방사선 향상 소자 구조 제안
○ 내방사선 향상된 GaN 고주파 전력 반도체 소자 제작 및 평가
○ GaN 소자 기반 하이브리드 타입의 PA 구현 및 내방사선 평가

□ 연구개발성과
○ 정량적 연구개발성과
- SCI 논문: 4건, 특허출원: 2건, 국내/국제학술대회 발표: 5건/2건
○ 정성적 연구개발성과
- 내방사선 평가 기술 정리
- 이온빔 조사 전/후 GaN 물성 분석 결과 정리
- 방사선 조사 전/후 GaN 물성 분석 결과 정리
- 양성자에 의한 소자 특성 저하 원인 분석 결과
- 이온빔 기술 이용 내방사선 향상 소자 구조 설계
- 방사선 조사 조건에 따른 내방사선 평가 결과 정리(특성 저하율 30% 이하)

□ 연구개발성과 활용계획 및 기대 효과
○ 국내 우주부품용 전자소자 개발 및 방사선 영향 평가 기술 연구의 기초데이터로 활용 가능
○ 본 연구결과를 토대로 GaN 기반 내방사선 전자소자 개발 과제를 추진할 계획
○ 해당 소자 관련 기술을 타 분야(이동통신, 레이더 등) 고주파 전력 반도체 소자에 활용 가능
○ 국내 GaN 기반 내방사선 전자소자 개발 가능성을 제시함으로써, 우주기술 자립화에 기여
○ GaN 기반 고주파 소자의 신뢰성 평가를 통해 안정성 확보 기대

(출처 : 요약문 2p)

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 요약문 ... 2
• 목차 ... 3
• 1. 연구개발과제의 개요 ... 4
• 1-1. 연구의 필요성 ... 4
• 1-2. 연구 목표 및 계획 ... 6
• 2. 연구개발과제의 수행 과정 및 수행 내용 ... 9
• 3. 연구개발과제의 수행 결과 및 목표 달성 정도 ... 10
• 1) 연구수행 결과 ... 10
• 2) 목표 달성 수준 ... 26
• 3) 목표 미달 사항 ... 26
• 4. 연구개발성과의 관련 분야에 대한 기여 정도 ... 27
• 5. 연구개발성과의 관리 및 활용 계획 ... 27
• 6. 참고문헌 ... 28
• 끝페이지 ... 29