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NTIS 바로가기주관연구기관 | 광주과학기술원 Gwangju Institute of Science and Technology |
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연구책임자 | 이가영 |
참여연구자 | 박지웅 , 윤태호 , 이병훈 , 이상한 , 이주형 , 태기융 |
보고서유형 | 1단계보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2020-12 |
과제시작연도 | 2020 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202100006616 |
과제고유번호 | 1711123580 |
사업명 | 광주과학기술원연구운영비지원(R&D)(주요사업비) |
DB 구축일자 | 2021-07-10 |
키워드 | 인둠 셀레나이드.음저항.질화 붕소.전자 수송.indium selenide.negative differential resistance.hexagonal boron nitride.electron transport. |
· 두 개의 이차원 Indium selenide(InSe) 플레이크 사이에 원자단위로 얇은 절연체인 hBN이 있는 InSe/hBN/InSe heterostructure를 제작하고 소자의 터널링 특성을 이해함.
· 얇은 절연체 장벽을 사이에 두고 서로 포개어진 두 개의 이차원 InSe 플레이크 간의 터널링 특성과 그 메커니즘을 온도, InSe 두께, 절연체 장벽의 두께에 따라 분석함.
· 원자 단위로 얇은 절연체 hBN을 사이로 둔 InSe flake 샌드위치 구조의 heterostructure를 구현하고 터널링 전류를 t
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