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NTIS 바로가기주관연구기관 | 제니컴 |
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연구책임자 | 손정환 |
참여연구자 | 김성복 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2017-07 |
과제시작연도 | 2016 |
주관부처 | 미래창조과학부 Ministry of Science, ICT and Future Planning |
등록번호 | TRKO202100006694 |
과제고유번호 | 1711042562 |
사업명 | ICT유망기술개발지원 |
DB 구축일자 | 2021-07-17 |
키워드 | 365nm 자외선 발광다이오드.플립칩.GaN 흡수층이 없는 AlGaN 완충층.유기금속화학기상증착법.p형 AlGaN 층.365nm UV-LED.flip-chip.GaN-free AlGaN buffer layer.MOCVD.p-AlGaN. |
최종목표
○ UV-LED용 고품위 에피택시 기술 개발
- 고품위 n-AlGaN 에피택시 기술
· XRD FWHM < 400arcsec (002) direction
- n-/p-AlGaN 도핑 제어기술
· n-doping(Si) 농도 ≥ 2×1018/cm3
· p-doping(Mg) 농도 ≥ 2×1017/cm3
- AlGaN/InAlGaN MQW 활성층 최적화 기술
· AlGaN/InAlGaN 활성층 최적화 성장기
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