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NTIS 바로가기주관연구기관 | (주)오디텍 |
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연구책임자 | 오동수 |
참여연구자 | 고상춘 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2019-07 |
과제시작연도 | 2018 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
과제관리전문기관 | 정보통신기획평가원 Institute of Information&Communications Technology Planning&Evaluation |
등록번호 | TRKO202100006840 |
과제고유번호 | 1711075716 |
사업명 | ICT유망기술개발지원(R&D) |
DB 구축일자 | 2021-07-17 |
키워드 | 에이피디.에스파드.근적외선.양자효율.분광감응도.Avalanche Photo-Diode.Si Single-Photon Avalanche Diode.Near Infrared.Quantum efficiency.Respnsivity. |
□ 최종목표
• 근적외선 대역 고감도 4분할 Si Avalanche Photo-Diode (APD)소자 및 단일광자 검출용 Si Single-Photon Avalanche Diode (SPAD) 어레이 소자 개발
□ 개발내용 및 결과
• 근적외선 대역 Si APD 및 SPAD 소자 설계 및 시뮬레이션 기술
• 근적외선 대역 Si APD 소자 및 SPAD 어레이 제작을 위한 핵심공정 기술
• 고감도 4분할 Si APD 소자 및 단일광자 검출용 Si SPAD 어레이소자의 제작, Wafer-Level 특
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