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NTIS 바로가기주관연구기관 | 성균관대학교 SungKyunKwan University |
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연구책임자 | 황동목 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2020-11 |
과제시작연도 | 2020 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202100015613 |
과제고유번호 | 1711119869 |
사업명 | 나노미래소재원천기술개발(R&D) |
DB 구축일자 | 2021-10-30 |
키워드 | 질화 붕소.입방정계.에피텍셜 성장.촉매 성장.다형성 상변환.Boron nitride.Cubic system.Epitaxial growth.Catalytic growth.Polymorphic transformation. |
□연구의 목적 및 내용
소자의 고집적화에 따라 열에 의한 성능/수명저하 문제가 심각함. 특히 5G용 전자기기 및 초고집적 반도체 등 차세대 전자기기/부품에서는 현재 사용되는 방열 소재의 한계를 뛰어넘는 소재 적용이 필수적임. 이를 위해 다양한 소재가 연구되고 있으나 열적 비등방성, 고비용 등의 문제를 가지고 있음. 본 연구에서는 이를 극복하고자 촉매를 이용하여 등방성의 고열전도도(단일 소재 700W/mK, 방열 패드 적용 시 30W/mK 이상)를 가지는 입방정 질화 붕소(cBN)의 양상적용 가능 저온/저압 합성 공정을 개발하려
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