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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
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연구책임자 | 하정석 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2021-03 |
과제시작연도 | 2020 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
연구관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO202100016887 |
과제고유번호 | 1711115616 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2022-01-29 |
키워드 | 비휘발성 메모리.기계학습.적응형 신호처리.오류정정부호.메모리 변환 계층.Non-volatile Memory.Machine Learning.Adaptive Signal Processing.Error Correcting Codes.Memory Translation Layer. |
□ 연구개요
본 연구는 4차 산업 혁명의 기반이 되는 차세대 반도체 메모리 저장장치의 수명 극대화 및 속도 향상을 위한 기계학습 기반의 적응형 신호처리 및 오류정정 기술 개발을 목표로 한다. 개발한 핵심 기술은 차세대 비휘발성 메모리로 주목받는 3D-NAND, PCRAM, ReRAM을 위한 기계학습 기반 신호처리 방법 및 소자 오류 예측 기술 및 이를 확장하여 오류특성을 반영한 저지연 고신뢰성 스마트 오류정정부호이며, 최종적으로 데이터 유형 학습을 통한 반응형 오류정정부호 기술을 연구함으로써 메모리 소자, 신호처리, 오류정정부
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