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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국외국어대학교 Hankuk University of Foreign Studies |
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연구책임자 | 이성현 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2021-03 |
과제시작연도 | 2020 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202100017674 |
과제고유번호 | 1711115173 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2022-02-19 |
키워드 | 밀리미터파 SOI CMOS.RF SOI CMOS 모델링.밀리미터파 스위치 모델링.RF 스위치 모델.mm-wave SOI CMOS.HRS-SOI MOSFET.RF SOI CMOS modeling.mm-wave switch modeling.RF switch model. |
연구개요
High resistivity silicon (HRS) Silicon-on-Insulator (SOI) MOSFET을 RF Front-End IC에서 가장 중요한 블럭인 RF switch 설계에 적용하기 위해서는 mm-wave와 대신호 영역에서 정확히 switch 특성을 모델링할 수 있는 기초연구가 시급히 수행되어야 한다. 하지만, 기존의 SPICE BSIMSOI4 모델은 RF switch 설계에 부적절하고 RF Macro SOI MOSFET 모델 논문도 발표되었지만 여러 중요한 RF 비선형 효과가 무시되고 단순한 B
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