초록 ▼

반도체 공정에서 발생하는 PFCs(CF₄, SF₆, NF₃) 가스를 저감하기 위한 통합처리 시스템 개발로 각 협력 기관에서 개발한 시작품을 적용한 30 CMM급 PFCs 촉매 통합처리 시스템을 구축함.
- RCO(3bed) type의 촉매 반응 시스템 개발(30CMM급)
: PFCs 분해율(CF₄, SF₆, NF₃) 95% 이상 달성
- MILD연소버너를 통한 온도 연소 안정화 및 질소산화물 낮은 생

반도체 공정에서 발생하는 PFCs(CF₄, SF₆, NF₃) 가스를 저감하기 위한 통합처리 시스템 개발로 각 협력 기관에서 개발한 시작품을 적용한 30 CMM급 PFCs 촉매 통합처리 시스템을 구축함.
- RCO(3bed) type의 촉매 반응 시스템 개발(30CMM급)
: PFCs 분해율(CF₄, SF₆, NF₃) 95% 이상 달성
- MILD연소버너를 통한 온도 연소 안정화 및 질소산화물 낮은 생성(5 ppm 이하)
- 저온 열 교환기를 통한 열에너지 회수 및 에너지 절감률 30% 이상 실현
- 고농도 후처리 시스템을 통한 촉매 분해 2차 부산물 제거
: 2차 고농도 산 가스 분해율(HF, HCl) 98% 이상 달성
- 기타 특허 등록 3건 및 출원 1건

(출처 : 요약서 3p)

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 제 출 문 ... 2
• 최종보고서 요약서 ... 3
• 요약문 ... 5
• 목차 ... 14
• 그림목차 ... 16
• 표목차 ... 21
• 1. 연구개발과제의 개요 ... 22
• 1-1. 연구개발 목적 ... 22
• 1-2. 연구개발의 필요성 ... 22
• 가. 연구개발의 개요 ... 22
• 나. 국내 기술 수준 및 시장 현황 ... 27
• 1-3. 연구개발 범위 ... 34
• 가. 연차별 개발 범위 ... 34
• 나. 주관연구기관의 관련기술 보유현황 ... 37
• 2. 연구수행 내용 및 결과 ... 38
• 2-1. 연구개발의 내용(범위) 및 최종목표 ... 38
• 가. 연구개발 추진 전략 및 체계 ... 38
• 나. 1 Nm3/min급 촉매 시스템 후처리 기술개발 ... 41
• 다. 10 Nm3/min급 촉매 시스템 후처리 기술개발 ... 75
• 라. 후처리 시스템(30 Nm3/min급) 및 PFCs 촉매 통합처리시스템(2 Nm3/min급) 개발 ... 125
• 마. 30 Nm3/min급 PFCs 통합처리시스템 기술개발 ... 174
• 2-2. 연구 개발 성과 ... 220
• 2-3. 연구 결과 ... 221
• 가. 연구개발 결과 요약 ... 221
• 나. 기대 효과 ... 226
• 3. 목표 달성도 및 관련 분야 기여도 ... 228
• 3-1. 목표 ... 228
• 3-2. 목표 달성여부 ... 229
• 가. 1차년도 연구개발 목표 및 달성도 ... 229
• 나. 2차년도 연구개발 목표 및 달성도 ... 230
• 다. 3차년도 연구개발 목표 및 달성도 ... 231
• 라. 4차년도 연구개발 목표 및 달성도 ... 232
• 3-3. 목표 미달성 시 원인 및 차후 대책(후속연구의 필요성) ... 234
• 4. 연구개발성과의 활용 계획 ... 235
• 5. 참고 문헌 ... 237
• 부 록 ... 240
• 끝페이지 ... 334