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NTIS 바로가기주관연구기관 | 파워큐브세미 |
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연구책임자 | 경신수 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2020-01 |
과제시작연도 | 2018 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
등록번호 | TRKO202200007013 |
과제고유번호 | 1415160430 |
사업명 | 창의산업전문기술개발(R&D) |
DB 구축일자 | 2022-08-27 |
제 1 장 서론
제 1 절 과제의 개요
1. 기술개발의 필요성과 관련 현황
가. 개발 대상 기술·제품의 개요
(1) 제품의 개요
o ESD 면역성 개선에 따라 희생된 칩 사이즈를 극복하기 위해 전류밀도를 극대화한 SiC SBD 소자의 개발 : ESD diode 내장 + 전류밀도 극대화
(2) 개발 대상 기술
o Wide Trench 접합 기술을 적용한 SiC SBD
- SiC Schottky Barrier Diode 소자의 가장 큰 문제점은 누설전류로서 소자의 턴-오프시 소자 발열에
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