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NTIS 바로가기주관연구기관 | 연세대학교 Yonsei University |
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연구책임자 | 손현철 |
참여연구자 | 심규환 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2018-07 |
과제시작연도 | 2017 |
주관부처 | 산업통상자원부 Ministry of Trade, Industry and Energy |
등록번호 | TRKO202200007055 |
과제고유번호 | 1711058693 |
사업명 | 전자정보디바이스산업원천기술개발 |
DB 구축일자 | 2022-09-03 |
키워드 | Epitaxy.Hetero junction.SiGe.GeSn.TFET. |
3. 개발결과 요약
□ 최종목표
차세대 CMOS용 이종접합 구조 및 터널링 접합 에피 기술 연구
□ 개발내용 및 결과
고 Ge 함량 SiGe 이종접합 에피택시 및 고 Sn 함량 GeSn 이종접합 에피택시 기술 개발을 바탕으로 차세대 저전력 소자에 적용
□ 기술개발 배경
고 집적화에 수반되는 여러 가지 문제 중에서 단 채널 효과 및 높은 대기전력에 관련한 문제를 해결하기 위한 차세대 CMOS device개발시 적용될 수 있는 고함량/저결함 SiGe 및 GeSn의 증착 기술을 개발하여 기존
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