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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
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연구책임자 | 최양규 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2021-12 |
과제시작연도 | 2021 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202200013957 |
과제고유번호 | 1711128048 |
사업명 | 혁신성장연계지능형반도체선도기술개발(R&D) |
DB 구축일자 | 2022-10-25 |
키워드 | 초저전력.감마펫.스팁-슬롭.온-전류.소형화 가능성.내부 게이트.트리거링 게이트.전이층.Ultra-low power.Γ (Gamma)-FET.Steep-slope.On-current.Scalability.Internal gate.Triggering gate.Transition layer. |
□ 연구개발 목표
- 초저전력 신개념 steep-slope 소자 Γ (Gamma)-FET 개발
- 기존 steep-slope 기술 대비 우수한 문턱 전압 이하 기울기 (SS), 큰 온-전류 (ION), 작은 오프-전류 (IOFF), 큰 온-오프 전류비 (ION/IOFF) 성능을 지닌 ‘단일’ steep-slope 소자 개발.
- 100% CMOS 표준 공정과 소재를 이용해 평면형 2-D 및 3-D Γ-FET 설계/공정/제작/평가 기술개발<
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