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NTIS 바로가기주관연구기관 | 강원대학교 Kangwon National University |
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연구책임자 | 이홍섭 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2022-03 |
과제시작연도 | 2021 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202200013274 |
과제고유번호 | 1711142734 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2022-10-18 |
키워드 | 멤리스터.멤트랜지스터.알칼리 이온.원자층증착.크로스바.memristor.memtransistor.alkali ion.atomic layer deposition.crossbar. |
연구개요
본 연구에서는 전이금속 산화물 memristor를 channel 층으로 사용, drain에 인가된 전압의 크기와 시간, 인가 횟수에 따라 아날로그 메모리 기능을 가지는 능동형 memristor 소자인 memtransistor를 개발하고자 함. 본 연구에서 제안하는 memtransistor* 소자는 programing Input signal에 weight를 줄 수 있어(pulse number + weight) 게이트 전압을 이용하여 소자의 저항 변화율 조절이 가능한 소자이며 뉴로모픽 컴퓨팅 기술의 핵심 소자로 응용이 가
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