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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한림대학교 HalLym University |
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연구책임자 | 방성근 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2022-03 |
과제시작연도 | 2021 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
연구관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO202200013971 |
과제고유번호 | 1711147635 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2022-10-25 |
키워드 | 산화물 반도체.용액 공정.도핑 기술.트랜지스터.집적 회로.Oxide Semiconductor.Solution Process.Doping Technology.Transistor.Integrated Circuit. |
연구개요
본 과제는 용액 공정을 이용하여 형성된 N형과 P형 산화물 박막 트랜지스터의 전기적 특성 제어를 목적으로 종래에 연구된 바 없는 요오드 기상 도핑의 새로운 기술을 개발함. 도핑된 N형과 P형 산화물 반도체 박막의 전기적·물리적·화학적 특성 분석을 통해 N형과 P형 산화물 반도체 내에서의 전하전달 과정에 대한 요오드 도핑 효과를 정립함. 이로써 요오드 기상 도핑 기술을 적용한 N형/P형 산화물 박막 트랜지스터의 실험적 파라미터를 이용한 시뮬레이션을 통해 응용 회로 기술을 구현하고자 함.
연구 목표대비 연구결
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