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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국해양대학교 Korea Maritime University |
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연구책임자 | 김홍승 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2022-03 |
과제시작연도 | 2021 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
과제관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO202200015410 |
과제고유번호 | 1711128683 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2022-11-15 |
키워드 | 전력 반도체 소자.산화아연마그네슘.쇼트키 접합.금속접합 전계효과 트랜지스터.고전자 이동도 트랜지스터.power semiconductor device.ZnMgO.schottky contact.metal semiconductor field effet transistor.high electron mobility transistor. |
□ 연구개요
연구 과제는 에너지 금지대폭이 3.3 eV로 광대역(wide band gap) 반도체중 하나인 ZnO에 Mg을 첨가하여 금지대폭을 더 넓게 할 수 있는 ZnMgO를 이용한 전계 효과 트랜지스터들에 대한 연구로서 이를 전력 반도체 소자에 응용하고자 하였다. 이를 위하여 먼저 안정적인 ZnMgO 에피탁시 박막 성장과 ZnMgO 도핑 연구를 하였다. 그리고 쇼트키 접속에 대한 연구를 통하여 이를 기반으로 하는 금속 접합 전계효과 트랜지스터 (MESFET)를 제작하고 최종으로 ZnO/ZnMgO 이종 접합 구조로 형성된 이
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