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NTIS 바로가기주관연구기관 | 숙명여자대학교 |
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연구책임자 | 김수민 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2022-03 |
과제시작연도 | 2021 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
연구관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO202200016273 |
과제고유번호 | 1711142331 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부)(R&D) |
DB 구축일자 | 2022-11-22 |
키워드 | 단결정.2차원 소재.대면적.질화붕소.초격자구조.Single crystal.Two dimenstional material.Large-scale.Boron nitride.Supperlattice. |
연구개요
- 대면적 단결정 질화붕소(hBN) 기판을 기반으로 ‘대면적 무결함 3차원 초격자 구조’ 성장 메커니즘 규명을 목표로 하였으며, 본 연구에서 대면적 단결정 hBN 기반 다양한 3차원 초격자 구조를 구현하기 위해, 1) 질화붕소 기판과 그래핀(Gr)/질화붕소 기판 위에 epitaxial 방법으로 반도체 소재를 단결정으로 합성하여, 2) ‘대면적 무결함 3차원 초격자 구조’의 성장 메커니즘 규명하고자함.
연구 목표대비 연구결과
본 연구에서는 크게 1) 단결정 hBN 기반 TMDs 적층 혼성구조 성장, 2
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