초록 ▼

□ 연구개발 목표 및 내용
○ 연구목표
❍ 3진법 상태 구현과 CMOS 호환 공정 확보
- 3진법의 3개 상태 구현
- CMOS 호환 공정 확보 및 안정성, 내구성 확보
❍ deep trap을 활용한 시냅스 소자 제조 및 최적화
- CMOS 호환 공정 확보 및 장기 보존성 확보
- 64개 이상의 state 확보 및 학습 선형 지수 0.8 이상 확보

○ 연구내용
❍ 3진법 상태 구현과 CMOS 호환 공정 확보
- 산화물 기반의 반도체 및 절연막 제조 공정 확보
- 3단

□ 연구개발 목표 및 내용
○ 연구목표
❍ 3진법 상태 구현과 CMOS 호환 공정 확보
- 3진법의 3개 상태 구현
- CMOS 호환 공정 확보 및 안정성, 내구성 확보
❍ deep trap을 활용한 시냅스 소자 제조 및 최적화
- CMOS 호환 공정 확보 및 장기 보존성 확보
- 64개 이상의 state 확보 및 학습 선형 지수 0.8 이상 확보

○ 연구내용
❍ 3진법 상태 구현과 CMOS 호환 공정 확보
- 산화물 기반의 반도체 및 절연막 제조 공정 확보
- 3단자 트랜지스터의 마스크 제작, 식각, 노광 및 전극 제조 공정 확보
- 3진법의 3개 상태 확보 및 8585 test 안정성 확인
❍ deep trap을 활용한 시냅스 소자 제조 및 최적화
- CMOS 호환 공정 확보: 포토 마스크, 노광, 식각 및 전극 제조 공정 확보
- 구조 최적화 및 광, 전기 펈스에 대한 시냅스 소자 확보
- 64개 이상의 state와 0.8 이상의 학습 선형 지수 확보

□ 연구수행 결과
❍ 3진법 상태 구현과 CMOS 호환 공정 확보
- 6인치 마스크 및 반도체 제조 공정 확보, 8585 100 시간 안정성 확보
- TiO₂ 산화물 반도체와 AlO_X의 초박형 유전체를 활용하여 FN 터널링으로 부성저항 특징 확보
- Vin-Vout 회로 구성으로 3개의 상태 확보
❍ deep trap을 활용한 시냅스 소자 제조 및 최적화
- CMOS 호환 공정 확보: 포토 마스크, 노광, 식각 및 전극 제조 공정 확보
- dual dielectric 구조와 전하공급층(CIL) 도입으로 계면 trap 형성 및 광시냅스 및 전기 시냅스 특성 확보
- 광시냅스에서 1024개의 state와 0.9 이상의 선형 지수 확보(초과달성)
- 10⁵ sec 이상에서도 장기 보전성 유지
- 인간 기억 망각 곡선 모사: LTP 특성으로 어빙하우스 곡선
❍ SCI논문 2편 발표, 1표 under review, 특허 2편 국내 출원 완료

□ 활용계획 및 기대효과
❍ 시냅스-다진법 복합 소자 제조 및 유연 투명 소자 활용
- 세계 최초로 시냅스 기능을 갖는 다진법 소자 개발 가능함.
- 비실리콘 계로서 CMOS호환성 확보하여 양산 장벽이 낮고 유연소자와 투명 소자로도 활용이 가능함.

(출처 : 요약문 2p)

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 요 약 문 ... 2
• 목차 ... 3
• 1. 연구개발과제의 개요 ... 4
• 1) 연구개발과제의 필요성 ... 4
• 2) 연구개발과제의 중요성 ... 4
• 2. 연구개발과제의 수행 과정 및 수행 내용 ... 5
• 1) 연구개발과제의 목표 ... 5
• 2) 연구개발과제의 내용 ... 5
• 3) Weak Signal 탐색 영역의 정의 ... 6
• 4) Weak Signal 탐색 결과 ... 7
• 3. 연구개발과제의 수행 결과 ... 9
• 1) 연구수행 결과 ... 9
• 2) 연구개발비 사용실적 ... 15
• 3) 성과활용 및 기대효과 ... 17
• 4. 후속 연구개발과제 제안 ... 18
• 별첨1. 아이디어톤 자문 의견 반영 현황 ... 24
• 별첨2. 참고 문헌 ... 25
• 끝페이지 ... 25