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NTIS 바로가기주관연구기관 | 금오공과대학교 Kumoh National Institute of Technology |
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연구책임자 | 안성진 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2023-06 |
과제시작연도 | 2022 |
주관부처 | 교육부 Ministry of Education |
등록번호 | TRKO202300005755 |
과제고유번호 | 1345350503 |
사업명 | 개인기초연구(교육부) |
DB 구축일자 | 2023-09-07 |
키워드 | 고온/고출력 반도체.백메탈.다이본딩재료.backside metalization.Au-free. |
연구개발 목표 및 내용
최종 목표
저비용/친환경 재료를 적용한 저온 본딩/고온 안정성을 지닌 고온/고출력 반도체 다이 본딩 기술을 개발
전체 내용
고온 동작 반도체의 다이 본딩 재료로 널리 사용되고 있는 고가의 Au 합금을 저가의 물질로 대체
연구개발성과
1차년도 - 저융점 금속, 고융점 금속 기반 다층 박막 구조 연구
- 박막 증착 중 표면에너지, 계면 반응, roughness 등 연구
- Roughness가 적은 표면을 갖는 다층 박막 구조 개발
- 시뮬레이션을 통한 박막
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