초록 ▼

□ 연구개발 목표 및 내용
○ 최종 목표
2차원 나노조각 반도체 기반의 신개념 비휘발성 메모리 소자구현

○ 전체 내용
산화물 계면과 폴리머를 활용하여 전하주입형 메모리와 RRAM 구현

○ 1단계
● 목표
산화아연 나노선 게이트를 적용한 MoS₂ 메모리 트랜지스터 및 메모리 CMOS 개발
● 내용
1000초 이상 10⁴ 정도의 점멸비를 유지하는 성능의 메모리 구현

○ 2단계
● 목표
저전압 이종적층 산화막 적용

□ 연구개발 목표 및 내용
○ 최종 목표
2차원 나노조각 반도체 기반의 신개념 비휘발성 메모리 소자구현

○ 전체 내용
산화물 계면과 폴리머를 활용하여 전하주입형 메모리와 RRAM 구현

○ 1단계
● 목표
산화아연 나노선 게이트를 적용한 MoS₂ 메모리 트랜지스터 및 메모리 CMOS 개발
● 내용
1000초 이상 10⁴ 정도의 점멸비를 유지하는 성능의 메모리 구현

○ 2단계
● 목표
저전압 이종적층 산화막 적용한 2차원 기반의 비활성 메모리 소자 구현
● 내용
7V에서 동적 메모리 특성과 1000초 동안 안정적인 리텐션 가능

○ 3단계
● 목표
2D 나노조각과 터널링막 사이의 계면특성을 향상과 동시에 안정한 유기-무기 혼성 구조의 메모리 소자 구현
● 내용
계면이 향상됨과 동시에 안정적인 리텐션을 가능한 특성

□ 연구개발성과
2차원 물질 (주로 MoS₂)을 기반으로 한 독창적인 구조와 신개념적 측면에서 효과적인 메모리로서의 응용이 가능함을 보여줌

□ 연구개발성과 활용계획 및 기대 효과
절연체의 이종접합면을 전하주입층으로 활용하여 MoS₂을 기반으로 한 저전압 (7 V 이하) 메모리 구동이 가능함을 보여줌에 따라 MoS₂외의 다른 반도체를 활성층으로 하여 메모리 구동으로 활용 가능해 보이며 ps-brush의 전면코팅으로 확대응용될것이 기대됨

(출처 : 요약문 2p)

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 요약문 ... 2
• 목차 ... 3
• 1. 연구개발과제의 개요 ... 4
• 2. 연구개발과제의 수행 과정 및 수행 내용 ... 4
• (1) 1차년도 ... 4
• (2) 2차년도 ... 5
• (3) 3차년도 ... 5
• 3. 연구개발과제의 수행 결과 및 목표 달성 정도 ... 5
• 1) 연구수행 결과 ... 5
• 2) 목표 달성 수준 ... 10
• 4. 연구개발성과의 관련 분야에 대한 기여 정도 ... 10
• 5. 연구개발성과 및 활용 계획 ... 10
• 1) 연구성과 ... 10
• 2) 연구성과 활용계획 ... 11
• 6. 참고문헌 ... 11
• 끝페이지 ... 11