최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기주관연구기관 | 한양대학교 HanYang University |
---|---|
연구책임자 | 정재경 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2023-03 |
과제시작연도 | 2022 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202300010589 |
과제고유번호 | 1711167756 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부) |
DB 구축일자 | 2023-10-18 |
키워드 | CMOS 박막트랜지스터.모노리식 3차원 집적.P형 반도체.옥시셀레나이드.텔루륨.CMOS TFT.Monolithic 3D Integration.p-type Semiconductor.Oxyselenide.Tellurium. |
□ 연구개요
P형 산화물 및 무기반도체 트랜지스터의 경우 N형 산화물 반도체 트랜지스터에 비해 현재까지도 매우 열악한 수준의 전계이동도 및 전류점멸비 등의 소자 성능이 발현되고 있음. 스마트 인텔리전트 디지털 기기의 비약적인 발전을 촉진시키기 위해서 저온 공정 기반 CMOS 박막트랜지스터 (TFT) 구현은 필수적인데 현재는 주로 N형 산화물 반도체를 활용한 트랜지스터만을 제한적으로 활용하고 있음. 따라서 4차 산업혁명의 초연결성 및 자유로운 공간 활용을 실현하기 위해서 저온 공정 기반 고성능 P형 반도체 소재의 개발이 필요함<
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.