최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기주관연구기관 | 전주대학교 Jeonju University |
---|---|
연구책임자 | 박성수 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2022-06 |
과제시작연도 | 2022 |
주관부처 | 교육부 Ministry of Education |
과제관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO202300006871 |
과제고유번호 | 1345351657 |
사업명 | 개인기초연구(교육부) |
DB 구축일자 | 2023-09-19 |
키워드 | 수소화합물적층법.질화알루미늄.자외선발광다이오드.고출력전자소자.적층성장.Hydride Vapor Phase Epitaxy.Aluminium Nitride(AlN).Ultra Violet Emitting Diode(UV LED).High Power Electronic Device.Epitaxy. |
□ 연구개발 목표 및 내용
○ 최종 목표
HVPE 법으로 고품질 AlN 박막을 적층 성장하고, 그의 특성을 TEM, High Resolution XRD, DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy) 등으로 분석하여 AlN 소자 제조의 기반 기술을 확보
○ 전체 내용
(1) HAVE 법에 의한 고품질 AlN 박막 적층 성장
· HVPE 법을 사용하여 고품질 AlN 박막 적층 성장의 기반 기술을 확보
· X-ray Rocking Curve의 FWHM(Full Width
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.