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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국원자력연구원 Korea Atomic Energy Research Institute |
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연구책임자 | 선광민 |
참여연구자 | 방영봉 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2022-11 |
과제시작연도 | 2022 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
과제관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO202300008028 |
과제고유번호 | 1711155996 |
사업명 | 방사선기술개발사업 |
DB 구축일자 | 2023-09-26 |
키워드 | 양전자소멸분광.양전자소멸수명.중성자 도핑 결함.탄화규소 결함.저속 양전자.Positron annihilation spectroscopy.Positron annihilation lifetime.Defect in neutron transmutation doping.Defect in silicon carbide.Slow positron. |
연구개발 목표 및 내용
최종 목표
소재 내 격자 결함을 분석하기 위하여 고강도 양전자빔 생성과 양전자 소멸 분광의 기초 기술 개발하여 전력반도체의 특성을 분석한다.
전체 내용
○ 노외 양전자 생성 기초 연구
- 중성자 유발 즉발감마선 이용 양전자빔 생성 기초 연구
○ 노내 양전자 생성을 위한 장치 기초 연구
- 노내 양전자 생성 장치 설계
- 반사체 n-γ 즉발감마선 변환기(converter) 개발
- 반사체 γ-β 양전자 발생기(generator) 개발
○ 양전자빔 인출 및
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