초록 ▼

□ 연구개요
본 연구의 최종 목표는 III-V족 화합물반도체 기반 나노구조에서 관찰된 비등방적 승화 현상을 원자 수준 시뮬레이션을 통해 이론적으로 규명하는 것으로, 원자 수준 시뮬레이션을 이용하여 화합물반도체 표면에서 물질의 동적 특성을 모사하고 열역학적 분석을 통해 표면 승화 현상의 원인을 밝혀내고, 관련 시뮬레이션 기술을 확보하고자 한다.

□ 연구 목표대비 연구결과
III-V족 화합물반도체 기반 나노구조의 제어 및 원리 규명에 필요한 시뮬레이션 기법을 탐색하여, 수 nm 크기의 나노구조 표면의 활성에 대해

□ 연구개요
본 연구의 최종 목표는 III-V족 화합물반도체 기반 나노구조에서 관찰된 비등방적 승화 현상을 원자 수준 시뮬레이션을 통해 이론적으로 규명하는 것으로, 원자 수준 시뮬레이션을 이용하여 화합물반도체 표면에서 물질의 동적 특성을 모사하고 열역학적 분석을 통해 표면 승화 현상의 원인을 밝혀내고, 관련 시뮬레이션 기술을 확보하고자 한다.

□ 연구 목표대비 연구결과
III-V족 화합물반도체 기반 나노구조의 제어 및 원리 규명에 필요한 시뮬레이션 기법을 탐색하여, 수 nm 크기의 나노구조 표면의 활성에 대해 제일 원리 수준의 정확도로 모사할 수 있는 시뮬레이션 방법론을 정립하였다.
1) 분자동역학 기반 시뮬레이션
2) 제일원리 기반 화합물반도체 표면의 정적 분석
3) 제일원리 기반 화합물반도체 표면의 동역학 시뮬레이션
4) 기계학습 기반 화합물반도체 표면 시뮬레이션

□ 연구개발성과의 활용 계획 및 기대효과(연구개발결과의 중요성)
최근 고성능 핵심 소재로 주목받는 갈륨질소(GaN), 인듐비소(InAs) 등 III-V족 화합물반도체 기반 소자 개발 가속화를 위해서는 해당 원자 수준 시뮬레이션을 수행할 수 있는 시뮬레이션 방법론 개발과 나노 수준의 구조 제어 방법론 확립이 필수적이다. 본 연구 과제를 통해 내재화된 기술을 통해 우리나라 반도체 연구 수준을 높일 수 있을 것으로 기대한다.

(출처 : 연구결과 요약문 2p)

목차 Contents

• 표지 ... 1
• 연구결과 요약문 ... 2
• 목차 ... 3
• 1. 연구개발과제의 개요 ... 4
• 2. 연구개발과제의 수행 과정 및 수행 내용 ... 4
• 1) 분자동역학 시뮬레이션을 이용한 나노선의 승화 연구 ... 4
• 2) 제일원리 계산을 이용한 특정 표면에서의 비등방적 승화 원인 연구 ... 5
• 3) 제일원리 분자동역학을 이용한 표면에서의 거동 연구 ... 5
• 4) 인듐비소 나노선 표면에서의 특이한 승화 현상 연구 ... 6
• 5) 기계학습 포텐셜 기반 대규모 원자 시뮬레이션을 통한 승화 현상 연구 ... 7
• 3. 연구개발과제의 수행 결과 및 목표 달성 수준 ... 8
• 1) 정성적 연구개발성과(연구개발결과) ... 8
• 2) 세부 정량적 연구개발성과 ... 8
• 3) 목표 달성 수준 ... 8
• 4) 목표 미달 시 원인 분석 ... 8
• 4. 연구개발성과의 관련 분야에 대한 기여 정도(연구개발결과의 중요성) ... 9
• 5. 연구개발성과의 관리 및 활용 계획 ... 9
• 6. 자체점검표 ... 10
• 7. 참고문헌 ... 10
• 붙임1. 세부 정량적 연구개발성과 ... 11
• 붙임2. 연구책임자 대표적 연구실적 및 증빙(요약문 및 사본) ... 12
• 끝페이지 ... 15