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NTIS 바로가기주관연구기관 | 성균관대학교 SungKyunKwan University |
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연구책임자 | 이창구 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2023-03 |
과제시작연도 | 2022 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
등록번호 | TRKO202300011706 |
과제고유번호 | 1711167708 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부) |
DB 구축일자 | 2023-10-18 |
키워드 | 마이크로LED.갈륨 나이트라이드.2차원소재.에피택셜 성장.에피웨이퍼.Micro LED.GaN.2D material.epitaxial growth.epiwafer. |
□ 연구개요
에피택셜성장법 기반 대면적 고결정성 2차원소재 합성법을 개발하고 이를 적용하여 마이크로LED 발광소자분야의 기술혁신을 이룩한다. 세부적으로는 청색LED 소재인 GaN와 격자상수가 일치하는 2차원소재를 에피택셜성장층으로 이용한 고품질 GaN 박막 합성법을 개발하고, 성장층을 분리층으로 사용하여 기판으로부터 분리 용이한 마이크로LED용 고성능․고균일도 에피웨이퍼 제조법을 개발한다. 이를 통해 차세대 디스플레이 분야 기초소재에서 초격차를 달성하고 해외의존을 최소화하는 핵심 원천기술을 확보한다.
□ 연구 목표
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