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NTIS 바로가기주관연구기관 | 성균관대학교 SungKyunKwan University |
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연구책임자 | 김윤석 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2024-03 |
과제시작연도 | 2023 |
주관부처 | 과학기술정보통신부 Ministry of Science and ICT |
연구관리전문기관 | 한국연구재단 National Research Foundation of Korea |
등록번호 | TRKO202400008967 |
과제고유번호 | 1711190644 |
사업명 | 개인기초연구(과기정통부) |
DB 구축일자 | 2024-09-24 |
키워드 | 강유전성.전기화학거동.점결함.HZO.HfO2.Ferroelectricity.Electrochemical behavior.Point defect. |
□ 연구개요
본 연구는 Hf1-xZrxO2(HZO) 초박막의 전기화학적 거동을 분석하여 강한 강유전성을 발현하는 것을 최종 목표로 함. HZO 초박막은 5 nm이하의 두께에서도 강유전성을 유지할 수 있는 잠재력을 가지고 있어 기존 강유전체가 일정 두께 이하에서 강유전성을 잃는 문제를 해결하고자 함. 이에 따라, HZO 초박막의 전기화학적 특성을 기반으로 한 강유전성 향상에 대한 연구가 필요하며, 특히 Atomic Force Microscopy(AFM)을 활용한 나노크기
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