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| 저자 | 박려균 인턴기자 |
|---|---|
| 원문 | 사이언스타임즈 |
| 출처 | https://www.sciencetimes.co.kr/?p=100986 |
금속 전극을 그래핀으로 대체하면 기존의 플래시 메모리 소자보다 성능과 신뢰도 면에서 획기적으로 개선된 차세대 메모리 소자를 만들어 낼 수 있다는 사실을 국내 연구진이 규명해냈다.
조병진 교수 연구팀은 기존의 실리콘 기반의 반도체 소자에서 금속 게이트 전극을 높은 전도성과 전하 이동도를 갖고 있는 그래핀 전극으로 대체하면 미래의 반도체에 요구되고 있는 성능과 신뢰도를 획기적으로 높여줄 수 있다는 사실을 밝혀냈다.
이 기술은 기존의 반도체 제조 공정에서 크게 바뀌는 부분이 없어서 머지않아 양산에 적용할 수 있다.
현재 국내외 기업에서는 20나노미터(나노미터 : 10억분의 1미터로, 1나노미터는 대략 성인 머리카락 굵기의 10만분의 1) 이하에서 사용될 것으로 예상되는 전하포획방식 플래시 메모리 소자를 연구 개발 중이다.
그러나 이번 연구에서처럼 그래핀 전극을 사용하면, 데이터 보존 특성이 크게 개선될 뿐만 아니라 플래시 메모리 소자의 상용화에 가장 큰 기술적 장벽을 극복할 수 있어서 이번 연구성과가 큰 기대를 모으고 있다.
조병진 교수는 “이번 연구결과를 응용해서 그래핀을 플래시 메모리 소자뿐만 아니라 자동차 전자제어장치, 군사용 등 반도체 소자의 신뢰성이 보다 중요한 분야에서 폭넓게 활용될 수 있을 것으로 기대한다”고 밝혔다.
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