기초과학연구원(IBS)은 원내 나노구조물리연구단(단장 이영희 성균관대 물리학과 교수) 연구팀이 이황화몰리브데늄을 원하는 위치에서 단일층으로 합성하는 기술을 개발하는 데 성공했다고 11일 밝혔다.  
이 연구결과는 과학기술 분야 권위지인 ‘네이처 커뮤니케이션즈’ 1월 28일자 온라인판에 실렸다. 
이황화몰리브데늄은 원자 수준의 얇은 막으로, 차세대 나노 소재로 각광받고 있는 물질이다.
이황화몰리브데늄은 이런 특성 때문에 앞으로 태양전지, 휘는 디스플레이, 투명 전자소자 등 다양한 광전자소자 영역에 응용될 것으로 예상된다.  
연구팀은 이황화몰리브데늄 합성 시 필요한 산화몰리브데늄을 특정 위치에서 증착하고, 성장 촉진제를 이용해 양질의 입자를 지닌 이황화몰리브데늄막을 원하는 위치에 합성하는 기술을 개발했다.  
그동안 산화몰리브데늄 또는 순수한 몰리브데늄을 황화시켜 특정기판 위에 이황화몰리브데늄을 합성한 사례는 수차례 있었다. 
하지만 이 방법은 원하는 위치에서 합성하기가 쉽지 않고 단일층 합성이 어렵다는 단점이 있었다.  
연구팀은 이 기술 개발로 이황화몰리브데늄 합성 중 양립할 수 없었던 한계를 극복한 셈이라고 설명했다.  
이영희 단장은 “이 성과는 기존 물질합성 방식의 한계를 뛰어넘었다는 점과 반도체산업의 핵심기술인 양질의 물질을 원하는 위치에서 합성할 수 있는 방법을 제시했다는 데 큰 의미가 있다”며 “앞으로 이황화몰리브데늄을 활용한 반도체 소재 응용연구가 활기를 띨 것”이라고 내다봤다.